۱۷ - ۹ دارات الخرج الأفقي الترانزستورية :
إن مقاومة ملفات الانحراف الأفقي الكلية في الجهاز الترانزستوري تقل عن ا أوم وهي المقارنة الأومية (DC) بينما هي عادة من (٥ إلى ٣٠ أوم) في الجهاز الصمامي . وبما أن تردد المسح الأفقي (١٥٦٢٥) هرتز فإن المقاومة التحريضية للملفات تكون كبيرة جداً بالمقارنة مع مقاومتها الأومية . وبما أن جهد الموجة نبضي في النوع الترانزستوري ، فيجب أن تكون دارة قيادة الملفات ذات مقاومة أومية ا - ويعتبر الترانزستور هو العنصر النموذجي لتأمين مقاومة صغيرة وموجة نبضية مستطيلة ، وعملية قطع ووصل ۱٥٦٢٥ مرة في الثانية وهذا غير ممكن بقاطع ميكانيكي فالترانزستور ذو الاستطاعة الكبيرة والسرعة العالية تكون مقاومته في حالة الإشباع أقل من (۱ أوم). وفي حالة القطع تكون مقاومته الأومية أعلى من (٥٠,٠٠٠) أوم . فهذه المقاومة في الوصل والقطع تجعل الترانزستور مكبراً جيداً للخرج الأفقي الشكل (۱۷ - ۱۱) .
المخمدات ذات العناصر الصلبة (Solid state) :
رغم أن الترانزستور المشبع يمكنه حمل التيار في كلا الاتجاهين ، فإنه لا يستطيع عكس اتجاه التيار بسرعة كافية في الزمن (13) الشكل (١٧ - ١٤) وفي هذه اللحظة يتوقف التذبذب بواسطة المقاومة التفرعية الصغيرة لمقاومة الترانزستور وثنائي الكابت، والذي هو الآن تفرعي بشكل فعال - والقدرة الكامنة (التيار) في ملفات الانحراف تبدأ بالنفاذ والاضمحلال بشكل خطي باتجاه الصفر وخلال الثنائي في معظمها . وفي الشكل (۱۷ - ۱۳) نجد أن الثنائي موصول بين المشع والمجمع للترانزستور ، حيث ان هذا الثنائي يوصل التيار لحظة فترة الارتداد وبذلك يحمد التذبذب الذاتي للدارة. ويدعى ثنائي التخميد (الكبت) - ويقوم الترانزستور
أيضاً بجمل قسم من هذا التيار ولكن بوقت متأخر نسبياً بسبب مقاومة البدء العالية فيه والتي هي أكثر من مقاومة ثنائي التخميد (الكابت) .
معزز الجهد + B
تختلف الدارة الترانزستورية عن الصمامية في هذه المهمة ، فثنائي التقويم في دارة العناصر الصلبة لا يعتبر مصدراً لتعزيز الجهد + B . فهو فقط يستخدم لتحمل معظم تيار ملفات الانحراف عندما يكون الشعاع الإلكتروني في القسم الشاشة . وعند ضرورة وجود الجهد المعزز + B يستخدم ثنائي منفصل .
تعويض المسح غير الخطي :
بما أن دارة ترانزستور الخرج الأفقي ذات مقاومة تقل عن (1 أوم) في التيار المستمر DC ، ذلك فان هذه المقاومة الصغيرة كافية لإنشاء المسح اللا خطي ، فهي تسبب في تمدد الجزء الأيسر من الشاشة وانضغاط الجزء الأيمن - ولتعويض ذلك المظهر اللاخطي يستخدم مكثف على التسلسل مع الانحراف . وكما في الشكل (١٧ - ١٤) ينشأ على المكثف وخلال المسح موجة جهد شكلها بشكل حرف ... وهذه تعوض عن التشوه الحاصل في يسار ويمين الشاشة من تمدد وانضغاط في الصورة . وقد يدعى هذا المكثف مكثف (5) . ويقوم هذا المكثف أيضاً بحجز التيار المستمر من الوصول لملفات الانحراف . فيعمل على رفع حرارتها . فتزيد مقاومتها الأومية ، وتسبب زيادة في اللاخطية .
دارات الجهد العالي :
كما في الشكل المبسط (١٧ - ١٤) فإن ملفات محول الخرج الأفقي الإبتدائية موصولة على التفرغ مع ثنائي التخميد - وترانزستور وملفات الإنحراف . وتولد ملفات الجهد العالي نبضات تتراوح بين (١٠ - ٣٠ ك ف ) وتقوم وتطبق على المصعد الثاني للشاشة . ومقومات الجهد العالي تكون من النوع السليكوني . كما في الشكل (١٧ - ١٥) .
إن مقاومة ملفات الانحراف الأفقي الكلية في الجهاز الترانزستوري تقل عن ا أوم وهي المقارنة الأومية (DC) بينما هي عادة من (٥ إلى ٣٠ أوم) في الجهاز الصمامي . وبما أن تردد المسح الأفقي (١٥٦٢٥) هرتز فإن المقاومة التحريضية للملفات تكون كبيرة جداً بالمقارنة مع مقاومتها الأومية . وبما أن جهد الموجة نبضي في النوع الترانزستوري ، فيجب أن تكون دارة قيادة الملفات ذات مقاومة أومية ا - ويعتبر الترانزستور هو العنصر النموذجي لتأمين مقاومة صغيرة وموجة نبضية مستطيلة ، وعملية قطع ووصل ۱٥٦٢٥ مرة في الثانية وهذا غير ممكن بقاطع ميكانيكي فالترانزستور ذو الاستطاعة الكبيرة والسرعة العالية تكون مقاومته في حالة الإشباع أقل من (۱ أوم). وفي حالة القطع تكون مقاومته الأومية أعلى من (٥٠,٠٠٠) أوم . فهذه المقاومة في الوصل والقطع تجعل الترانزستور مكبراً جيداً للخرج الأفقي الشكل (۱۷ - ۱۱) .
المخمدات ذات العناصر الصلبة (Solid state) :
رغم أن الترانزستور المشبع يمكنه حمل التيار في كلا الاتجاهين ، فإنه لا يستطيع عكس اتجاه التيار بسرعة كافية في الزمن (13) الشكل (١٧ - ١٤) وفي هذه اللحظة يتوقف التذبذب بواسطة المقاومة التفرعية الصغيرة لمقاومة الترانزستور وثنائي الكابت، والذي هو الآن تفرعي بشكل فعال - والقدرة الكامنة (التيار) في ملفات الانحراف تبدأ بالنفاذ والاضمحلال بشكل خطي باتجاه الصفر وخلال الثنائي في معظمها . وفي الشكل (۱۷ - ۱۳) نجد أن الثنائي موصول بين المشع والمجمع للترانزستور ، حيث ان هذا الثنائي يوصل التيار لحظة فترة الارتداد وبذلك يحمد التذبذب الذاتي للدارة. ويدعى ثنائي التخميد (الكبت) - ويقوم الترانزستور
أيضاً بجمل قسم من هذا التيار ولكن بوقت متأخر نسبياً بسبب مقاومة البدء العالية فيه والتي هي أكثر من مقاومة ثنائي التخميد (الكابت) .
معزز الجهد + B
تختلف الدارة الترانزستورية عن الصمامية في هذه المهمة ، فثنائي التقويم في دارة العناصر الصلبة لا يعتبر مصدراً لتعزيز الجهد + B . فهو فقط يستخدم لتحمل معظم تيار ملفات الانحراف عندما يكون الشعاع الإلكتروني في القسم الشاشة . وعند ضرورة وجود الجهد المعزز + B يستخدم ثنائي منفصل .
تعويض المسح غير الخطي :
بما أن دارة ترانزستور الخرج الأفقي ذات مقاومة تقل عن (1 أوم) في التيار المستمر DC ، ذلك فان هذه المقاومة الصغيرة كافية لإنشاء المسح اللا خطي ، فهي تسبب في تمدد الجزء الأيسر من الشاشة وانضغاط الجزء الأيمن - ولتعويض ذلك المظهر اللاخطي يستخدم مكثف على التسلسل مع الانحراف . وكما في الشكل (١٧ - ١٤) ينشأ على المكثف وخلال المسح موجة جهد شكلها بشكل حرف ... وهذه تعوض عن التشوه الحاصل في يسار ويمين الشاشة من تمدد وانضغاط في الصورة . وقد يدعى هذا المكثف مكثف (5) . ويقوم هذا المكثف أيضاً بحجز التيار المستمر من الوصول لملفات الانحراف . فيعمل على رفع حرارتها . فتزيد مقاومتها الأومية ، وتسبب زيادة في اللاخطية .
دارات الجهد العالي :
كما في الشكل المبسط (١٧ - ١٤) فإن ملفات محول الخرج الأفقي الإبتدائية موصولة على التفرغ مع ثنائي التخميد - وترانزستور وملفات الإنحراف . وتولد ملفات الجهد العالي نبضات تتراوح بين (١٠ - ٣٠ ك ف ) وتقوم وتطبق على المصعد الثاني للشاشة . ومقومات الجهد العالي تكون من النوع السليكوني . كما في الشكل (١٧ - ١٥) .
تعليق