تصغير الوحدات الاخرى - تصغير حجم انصاف النواقل - نظرة الى المستقبل .. الالكترونيات

تقليص
X
 
  • تصفية - فلترة
  • الوقت
  • عرض
إلغاء تحديد الكل
مشاركات جديدة

  • تصغير الوحدات الاخرى - تصغير حجم انصاف النواقل - نظرة الى المستقبل .. الالكترونيات

    تصغير الوحدات الاخرى - تصغير حجم انصاف النواقل - نظرة الى المستقبل .. الالكترونيات

    تصغير الوحدات الاخرى

    يبين الشكل ( ٢٩٤ ) رسما لعنصر مقاومة وكهرنافذ أو عازل . وفيه تم ترسيب مادة موصلة على عازل رقيق ، فينتج عن ذلك وجود مكثف بين الموصل والعازل في نفس الوقت . وهذه الدارة عبارة عن مجموعة من المقاومات م ۱ ، م ٢ ، م ۳ ، ومجموعة من المكثفات س ١ ، س ٢ الخ ...
    وبنفس الطريقة يتم صنع شبكات انزياح الطور الضرورية لعمل المذبذبات وبعض الاجهزة الالكترونية الاخرى .

    وتحتوي الرقاقة الكاملة ذات الحجم الصغير جدا على مقاومات ومكثفات واسلاك توصيل غاية في الصغر . وتبلغ سماكتها اره هم او اقل . ويمكن ان تشتمل مساحة صغيرة فيها لا تتعدى بضعة ملليمترات مربعة على عدد كبير من المركبات الالكترونية . كما يمكن وضع الرقاقات هذه فوق بعضها البعض بحيث ينشأ صندوق اكبر مكعب الشكل يحتوي على العديد من هذه الدارات .

    ٢٩٤ - شبكة ذات مقاومة ومكثف .
    ٢٩٥ - انصاف النواقل والمكونات الدقيقة الاخرى .
    ٢٩٦ - مكثف نصف ناقل متغير .
    ٢٩٧ - احدى بوابات الحاسب .

    تصغير حجم انصاف النواقل

    يمكن صنع انصاف النواقل بحجم صغير جدا يتناسب مع الاجهزة المتناهية في الصفر . ويفضل استخدام السيليكون على الجرمانيوم في صناعة مثل هذه المركبات لعدم تأثره كثيرا بارتفاع درجة الحرارة .

    ومن الممكن الحصول على مقاومة صغيرة الحجم باستخدام مادة من النوع م على قاعدة مادة من النوع س ( ٢٩٥ ) . كما يمكن صنع المكثفات باستخدام مواد من النوع س معزولة عن مواد من النوع م . الى جانب ذلك ، يمكن ترتيب المواد نصف الناقلة بطرق عدة للحصول على الدارات المطلوبة مهما بلغ تعقيدها ، مثل دارة مقوم الموجة الكاملة الجسري .

    بالاضافة الى ذلك ، فانه يمكن الاستفادة من التأثيرات الموجودة في الاجهزة نصف الناقلة . ففي الشكل ( ٢٩٦ ) نلاحظ مكثفا يشتمل على لوحين معدنيين يتم تحريكهما لتغيير سعته . أما الوصلة الثنائية فيمكن تغيير سعتها أيضا عن طريق تسليط جهد معين على المساحات المحملة بالشحنة فيها .

    ولا تحتل الترانزستورات المسطحة سوى رقعة صغيرة ونلاحظ في الشكل ( ۲۹۷ ) ترانزستور تحمل قاعدته عنصر مقاومة يمكن تجزئتها الى ثلاث مقاومات متصلة على التوالي بواسطة الشرائح الموصلة أ ، ب ، ج ، كما يمكن تشكيل الترانزستور نفسه على المادة الموجودة والجدير بالذكر ان دخول الاشارة الى س او ص يتسبب بهبوط في جهد المقاومة ما ينتج عنه وجود نبضة على الخرج ب وبذلك تحصل على البوابة المنطقية « أو » .

    أما الشكل ( ٢٩٨ ) فهو عبارة عن غشاء دقيق وضعت عليه بواسطة عمليات الانتشار على قطعة نصف ناقلة وهناك امكانية لاستخدام هذه الدارة كمضخم او عداد او مذبذب اذا ما كانت وصلات التوصيل فيها مكانها الملائم لها . كما يمكن الاستفادة الكاملة من هذه الدارة باستخدام ترانزستورات من النوع مرسم او من النوع سمس تقرن بها بطريقة مناسبة .

    ۲۹۸ - دائرة متكاملة متناهية في الصغر .
    ٢٩٩ - مذبذب متعدد ذو غشاء رقيق جدا .

    أما الشكل ( ٢٩٩ ) فهو عبارة عن غشام دقيق وضعت عليه مكونات مذبذب متعدد الاهترارات او مذبذب عادي لا يحتاج لمقاوم مكثف ) في نفس الوقت ( يفيد في ادارة التغذية المرتدة .

    والجدير بالذكر ان قطع المقاومات الموجودة على الغشاء الرقيق بالطول المناسب يتم بواسطة حرمة الكترونية يتم تركيزها بطريقة كهرمغنطيسية في لقطة لا يتعدى قطرها ٠,٠٠٠٥ انشا .
    كما يمكن تحريك هذه الحزمة بواسطة مجال مافلطيسي حارف ( ۳۰۰ ) اما العملية بكاملها ، فيجري تنفيذها بواسطة طرق اوتوماتيكية ( ۳۰۱ ) .

    وانه من دواعي الاهتمام الكبير ان لتخيل ما يمكن ان تصنعه الالكترونات في المستقبل . ولا يخفى على احد ان الصورة المصغرة لنواة الذرة المحاطة بالالكترونات التي تدور حولها بسرعة يصعب تصورها تفيد جدا في اغراض عديدة . الا انه ما زال هناك العديد من الموضوعات في هذا المجال لم يتطرق اليها البحث وسيكون المستقبل حافلا بمزيد من الاكتشافات الالكترونية .

    ۳۰۰ - مقاومات ذات غشاء رقيق يمكن تحديدها وقطعها بالشعاع الالكتروني .
    ۳۰۱ - انتاج وتحكم في الوحدات الالكترونية بطريقة اتوماتية .

    اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	1731531617585.jpg 
مشاهدات:	3 
الحجم:	97.7 كيلوبايت 
الهوية:	245724 اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	1731531617570.jpg 
مشاهدات:	2 
الحجم:	84.7 كيلوبايت 
الهوية:	245725 اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	1731531617556.jpg 
مشاهدات:	3 
الحجم:	91.8 كيلوبايت 
الهوية:	245726 اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	1731531617543.jpg 
مشاهدات:	3 
الحجم:	91.4 كيلوبايت 
الهوية:	245727

  • #2
    Miniaturization of other units - Miniaturization of semiconductors - A look to the future .. Electronics

    Miniaturization of other units

    Figure (294) shows a drawing of a resistor and a dielectric or insulator. In it, a conductive material has been deposited on a thin insulator, resulting in a capacitor between the conductor and the insulator at the same time. This circuit is a set of resistors M1, M2, M3, and a set of capacitors S1, S2, etc. ...
    In the same way, phase shift networks are made that are necessary for the operation of oscillators and some other electronic devices.

    A complete chip of very small size contains resistors, capacitors, and very small connecting wires. Its thickness is one hundredth or less. A small area of ​​it, not exceeding a few square millimeters, can contain a large number of electronic components. These chips can also be placed on top of each other so that a larger cubic box is created that contains many of these circuits.

    294 - A network with a resistor and a capacitor.
    295 - Semiconductors and other micro-components.
    296 - Variable semiconductor capacitor.
    297 - One of the computer gates.

    Scaling down semiconductors

    Semiconductors can be made in very small sizes that are suitable for zero-voltage devices. Silicon is preferred over germanium in the manufacture of such compounds because it is not affected much by high temperatures.

    It is possible to obtain a small resistance using a type M material on a type S base (295). Capacitors can also be made using type S materials isolated from type M materials. In addition, semiconductor materials can be arranged in several ways to obtain the required circuits, no matter how complex they are, such as a full-wave bridge rectifier circuit.

    In addition, it is possible to benefit from the effects present in semiconductor devices. In Figure (296), we notice a capacitor that includes two metal plates that can be moved to change its capacitance. As for the diode, its capacitance can also be changed by applying a certain voltage to the areas loaded with charge in it.

    The flat transistors occupy only a small area and we notice in Figure (297) a transistor whose base carries a resistance element that can be divided into three resistors connected in series by the conductive strips A, B, C, and the transistor itself can be formed on the existing material. It is worth noting that the entry of the signal to S or S causes a drop in the resistance voltage, which results in a pulse on the output B, thus obtaining the logic gate "OR".

    As for Figure (298), it is a thin membrane placed on it by diffusion processes on a semiconductor piece, and there is the possibility of using this circuit as an amplifier, counter, or oscillator if the connection connections are in their appropriate place. It is also possible to take full advantage of this circuit by using transistors of the MSM type or the SMMS type that are coupled to it in a suitable way.

    298 - A very small integrated circuit.

    299 - A very thin-film multi-oscillator.

    Figure (299) is a thin film on which the components of a multi-vibration oscillator or a normal oscillator that does not need a capacitor resistor (at the same time) are placed, which is useful in managing feedback.

    It is worth noting that cutting the resistors on the thin film to the appropriate length is done by an electronic shield that is focused electromagnetically in a shot with a diameter not exceeding 0.0005 inches.

    This package can also be moved by a deflecting maflastic field (300), while the entire process is carried out by automatic methods (301).

    It is of great interest to imagine what electrons can do in the future. It is no secret that the miniature image of the nucleus of the atom surrounded by electrons that revolve around it at a speed that is difficult to imagine is very useful for many purposes. However, there are still many topics in this field that have not been addressed by research, and the future will be full of more electronic discoveries .

    300 - Thin film resistors that can be identified and cut by electron beam.

    301 - Automatic production and control of electronic units.

    تعليق

    يعمل...
    X