تويت
تطور سامسونج ذاكرة DDR5 فائقة السرعة بسعة 512 جيجابايت
الكاتب: سامي - 28 مارس, 2021
بينما يستخدم المستهلكون اليوم أجهزة كمبيوتر بسعة 8 جيجابايت أو 16 جيجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي DDR4 بالداخل ، فإن سامسونج تمضي قدمًا في الجيل التالي من وحدات الذاكرة. أحدث شريحة من ذاكرة الوصول العشوائي هي وحدة 512 جيجابايت DDR5 تعمل بسرعة 7200 ميجابت في الثانية .
سيتم استخدام الوحدة الجديدة في الخوادم التي تؤدي "أعباء العمل الأكثر جوعًا للحوسبة وذات النطاق الترددي العالي". وهذا يعني الخارقة، و الذكاء الاصطناعي ، و تعلم الآلة .
أصبح ذلك ممكنًا بفضل تقنية HKMG المتقدمة ، التي اعتمدتها Samsung في عام 2018 لذاكرة GDDR6 الخاصة بها. في الأساس ، تستبدل HKMG طبقة العازل في هياكل DRAM. تقلل المادة العازلة العالية الموجودة في الطبقة من تسرب التيار وبالتالي تسمح بأداء أعلى. في الوقت نفسه ، تمكنت Samsung من تقليل استخدام الطاقة في الوحدة الجديدة بنسبة 13٪.
"سامسونج هي شركة أشباه الموصلات الوحيدة التي تتمتع بقدرات منطقية وذاكرة وخبرة لدمج تقنية منطق HKMG المتطورة في تطوير منتجات الذاكرة ،" قال يونج سو سون ، نائب رئيس مجموعة تخطيط / تمكين ذاكرة DRAM في Samsung Electronics. "من خلال جلب هذا النوع من ابتكار العمليات إلى تصنيع DRAM ، يمكننا أن نقدم لعملائنا حلول ذاكرة عالية الأداء وموفرة للطاقة لتشغيل أجهزة الكمبيوتر اللازمة للأبحاث الطبية والأسواق المالية والقيادة الذاتية والمدن الذكية وما بعدها."
كل وحدة DDR5 بسعة 512 جيجابايت مصنوعة من ثماني طبقات من شرائح DRAM بسعة 16 جيجابت متصلة ببعضها البعض لأداء هيكل ثلاثي الأبعاد باستخدام تقنية (TSV) عبر السيليكون.
وعلى الرغم من أن المستهلكين لن يحصلوا عليها ، وبالتأكيد لا يحتاجون إلى وحدات ذاكرة وصول عشوائي (RAM) بسعة 512 جيجابايت ، إلا أن نفس الوحدات فائقة السرعة يجب أن تتناسب مع السوق الاستهلاكية. بدأ DDR5 بالفعل في الظهور كبديل لـ DDR4 ، وتتضمن أحدث معالجات Intel Alder Lake دعمًا لـ DDR5 .