٥ - ٥ استخدام الترانزستور (FET) تأثير المجال في مكبرات RF :
يستخدم في الدارات الحديثة وخاصة في مكبرات RF - ولهذا الترانزستور نوعان JFET أي ذو الوصلة .
IGFET أي ذو البوابة المعزولة ويدعى MOSFET الشكل (٥ - ١٥) وللترانزستور JFET نوعان وذلك حسب المواد النصف ناقلة المستخدمة في الوصل بين العناصر . وهما ذو القناة الموجبة أو السالبة N-Channel.P-Channel واستخدام ترانزستور FET الذي يعد عنصر أحادي القطب Unipolar وليس ثنائي القطب Bipolar كما هو الترانزستور العادي ، لأن مرور التيار خلاله يتم عن طريق انسياب سيل الإلكترونات أو الفجوات . أما في ترانزستور FET أو Mosfet فيتم عن طريق واحد وهذا ما يخفف من الضوضاء والتشويش عند استخدامه كمكبر في الترددات العالية ، كما أن ممانعة مدخلة كبيرة جداً فيشبه في ذلك الصمام ، وبذلك يكون تيار إشارة المدخل (البوابة) صغيراً جداً . كما أن له ميزة أخرى حيث أن التيار المار به يتناسب طرداً مع مربع جهد البوابة ـ وهذا ما يجعل خرج المكبر غنياً بالتوافقيات الثانية بينما الترانزستور العادي أو الصمام فيذخر بالتوافقيات الثالثة والأعلي بالإضافة إلى التوافقية الثانية . لأن تكبيرها خطي على الأغلب . وهذا ما يضعف إشارة المخرج وخاصة عند التعديل ولذلك فهي مفضلة في دارة المزاج .
٥ - ٦ استخدام Mosfet في تكبير مجال VHF :
يوضح المخطط الشكل (٥) - (۱۷) الدارة المبسطة لاستخدام Mosfet الثنائي البوابة له بوابتان في دارة تكبير VHF الترددات العالية جداً للناخب ـ وفيه يتم الحصول على الجهد AGC عن طريق مقسم الجهد R2, R1 وR2 وتقوم المكثفات بتصفية جهد AGC لجعل التيار المستمر DC هو الذي يطبق أغلبه على بوابة الترانزستور الثانية (G2) . أما إشارة RF فتطبق عبر المكثف وC وتستنبط عبر R3 - ويظهر جهد الإشارة على البوابة الأولى (G) وهكذا فإن تيار الترانزستور Fet يضبط بجهدين وهما جهد AGC وجهد الإشارة - أما انحياز المنبع فإنه يؤمن عن طريق مR ، ويستخدم C ، لمنع التغذية العكسية - وتؤخذ إشارة الخرج من ثانوي المحول T في دارة المصرف .
استخدام MOSFET في تكبير مجال UHF :
ويظهر المخطط الشكل (٤) - (٣٤) الدارة المبسطة لاستخدام ترانزستور MOSFET الثنائي البوابة في تكبير مجال UHF - يطبق جهد AGC على البوابة الثانية G2 ، بعد تلحين الملف L24 والثنائي السعوي (فراكتور) CR13. فإن اشارة UHF القادمة من الهوائي تطبق على البوابة الأولى G1 عبر المكثف C43 ، ويكون ملف مدخل الهوائي L23 موصل تحريضياً مع الملف L24 وكذلك الملفات L29,127 اللذان يشكلان مرحلة ربط بين مكبر RF والمازج فهما موصلان بشكل تحريضي وسعوي ، وهذه الملفات مولفة بواسطة الثنائي السعوي CR14 وCR15 على التتابع - أما الملفات 24 - 27 - 29- فهي موضوعة على دارة نحاسية مطبوعة ـ وأما التوليف فيضبط بتحريك قطعة تحمل المكثفات C96- C68- C67 المتناسبة مع الملفات التحريضية .
مخرج أما إشارة RFo إلى المازج فإنها تحصل من نقطة على الملف 129 128 وجميع الملفات المستخدمة للتوليف مصنوعة من دارة مطبوعة نحاسية على لوحة الدارة .
يستخدم في الدارات الحديثة وخاصة في مكبرات RF - ولهذا الترانزستور نوعان JFET أي ذو الوصلة .
IGFET أي ذو البوابة المعزولة ويدعى MOSFET الشكل (٥ - ١٥) وللترانزستور JFET نوعان وذلك حسب المواد النصف ناقلة المستخدمة في الوصل بين العناصر . وهما ذو القناة الموجبة أو السالبة N-Channel.P-Channel واستخدام ترانزستور FET الذي يعد عنصر أحادي القطب Unipolar وليس ثنائي القطب Bipolar كما هو الترانزستور العادي ، لأن مرور التيار خلاله يتم عن طريق انسياب سيل الإلكترونات أو الفجوات . أما في ترانزستور FET أو Mosfet فيتم عن طريق واحد وهذا ما يخفف من الضوضاء والتشويش عند استخدامه كمكبر في الترددات العالية ، كما أن ممانعة مدخلة كبيرة جداً فيشبه في ذلك الصمام ، وبذلك يكون تيار إشارة المدخل (البوابة) صغيراً جداً . كما أن له ميزة أخرى حيث أن التيار المار به يتناسب طرداً مع مربع جهد البوابة ـ وهذا ما يجعل خرج المكبر غنياً بالتوافقيات الثانية بينما الترانزستور العادي أو الصمام فيذخر بالتوافقيات الثالثة والأعلي بالإضافة إلى التوافقية الثانية . لأن تكبيرها خطي على الأغلب . وهذا ما يضعف إشارة المخرج وخاصة عند التعديل ولذلك فهي مفضلة في دارة المزاج .
٥ - ٦ استخدام Mosfet في تكبير مجال VHF :
يوضح المخطط الشكل (٥) - (۱۷) الدارة المبسطة لاستخدام Mosfet الثنائي البوابة له بوابتان في دارة تكبير VHF الترددات العالية جداً للناخب ـ وفيه يتم الحصول على الجهد AGC عن طريق مقسم الجهد R2, R1 وR2 وتقوم المكثفات بتصفية جهد AGC لجعل التيار المستمر DC هو الذي يطبق أغلبه على بوابة الترانزستور الثانية (G2) . أما إشارة RF فتطبق عبر المكثف وC وتستنبط عبر R3 - ويظهر جهد الإشارة على البوابة الأولى (G) وهكذا فإن تيار الترانزستور Fet يضبط بجهدين وهما جهد AGC وجهد الإشارة - أما انحياز المنبع فإنه يؤمن عن طريق مR ، ويستخدم C ، لمنع التغذية العكسية - وتؤخذ إشارة الخرج من ثانوي المحول T في دارة المصرف .
استخدام MOSFET في تكبير مجال UHF :
ويظهر المخطط الشكل (٤) - (٣٤) الدارة المبسطة لاستخدام ترانزستور MOSFET الثنائي البوابة في تكبير مجال UHF - يطبق جهد AGC على البوابة الثانية G2 ، بعد تلحين الملف L24 والثنائي السعوي (فراكتور) CR13. فإن اشارة UHF القادمة من الهوائي تطبق على البوابة الأولى G1 عبر المكثف C43 ، ويكون ملف مدخل الهوائي L23 موصل تحريضياً مع الملف L24 وكذلك الملفات L29,127 اللذان يشكلان مرحلة ربط بين مكبر RF والمازج فهما موصلان بشكل تحريضي وسعوي ، وهذه الملفات مولفة بواسطة الثنائي السعوي CR14 وCR15 على التتابع - أما الملفات 24 - 27 - 29- فهي موضوعة على دارة نحاسية مطبوعة ـ وأما التوليف فيضبط بتحريك قطعة تحمل المكثفات C96- C68- C67 المتناسبة مع الملفات التحريضية .
مخرج أما إشارة RFo إلى المازج فإنها تحصل من نقطة على الملف 129 128 وجميع الملفات المستخدمة للتوليف مصنوعة من دارة مطبوعة نحاسية على لوحة الدارة .
تعليق