استخدام الترانزستور (fet) تأثير المجال في مكبرات rf .. كتاب التلفزيون الملون والعادي

تقليص
X
 
  • تصفية - فلترة
  • الوقت
  • عرض
إلغاء تحديد الكل
مشاركات جديدة

  • استخدام الترانزستور (fet) تأثير المجال في مكبرات rf .. كتاب التلفزيون الملون والعادي

    ٥ - ٥ استخدام الترانزستور (FET) تأثير المجال في مكبرات RF :

    يستخدم في الدارات الحديثة وخاصة في مكبرات RF - ولهذا الترانزستور نوعان JFET أي ذو الوصلة .

    ​​​​​​ IGFET أي ذو البوابة المعزولة ويدعى MOSFET الشكل (٥ - ١٥) وللترانزستور JFET نوعان وذلك حسب المواد النصف ناقلة المستخدمة في الوصل بين العناصر . وهما ذو القناة الموجبة أو السالبة N-Channel.P-Channel واستخدام ترانزستور FET الذي يعد عنصر أحادي القطب Unipolar وليس ثنائي القطب Bipolar كما هو الترانزستور العادي ، لأن مرور التيار خلاله يتم عن طريق انسياب سيل الإلكترونات أو الفجوات . أما في ترانزستور FET أو Mosfet فيتم عن طريق واحد وهذا ما يخفف من الضوضاء والتشويش عند استخدامه كمكبر في الترددات العالية ، كما أن ممانعة مدخلة كبيرة جداً فيشبه في ذلك الصمام ، وبذلك يكون تيار إشارة المدخل (البوابة) صغيراً جداً . كما أن له ميزة أخرى حيث أن التيار المار به يتناسب طرداً مع مربع جهد البوابة ـ وهذا ما يجعل خرج المكبر غنياً بالتوافقيات الثانية بينما الترانزستور العادي أو الصمام فيذخر بالتوافقيات الثالثة والأعلي بالإضافة إلى التوافقية الثانية . لأن تكبيرها خطي على الأغلب . وهذا ما يضعف إشارة المخرج وخاصة عند التعديل ولذلك فهي مفضلة في دارة المزاج .

    ٥ - ٦ استخدام Mosfet في تكبير مجال VHF :

    يوضح المخطط الشكل (٥) - (۱۷) الدارة المبسطة لاستخدام Mosfet الثنائي البوابة له بوابتان في دارة تكبير VHF الترددات العالية جداً للناخب ـ وفيه يتم الحصول على الجهد AGC عن طريق مقسم الجهد R2, R1 وR2 وتقوم المكثفات بتصفية جهد AGC لجعل التيار المستمر DC هو الذي يطبق أغلبه على بوابة الترانزستور الثانية (G2) . أما إشارة RF فتطبق عبر المكثف وC وتستنبط عبر R3 - ويظهر جهد الإشارة على البوابة الأولى (G) وهكذا فإن تيار الترانزستور Fet يضبط بجهدين وهما جهد AGC وجهد الإشارة - أما انحياز المنبع فإنه يؤمن عن طريق مR ، ويستخدم C ، لمنع التغذية العكسية - وتؤخذ إشارة الخرج من ثانوي المحول T في دارة المصرف .

    استخدام MOSFET في تكبير مجال UHF :

    ويظهر المخطط الشكل (٤) - (٣٤) الدارة المبسطة لاستخدام ترانزستور MOSFET الثنائي البوابة في تكبير مجال UHF - يطبق جهد AGC على البوابة الثانية G2 ، بعد تلحين الملف L24 والثنائي السعوي (فراكتور) CR13. فإن اشارة UHF القادمة من الهوائي تطبق على البوابة الأولى G1 عبر المكثف C43 ، ويكون ملف مدخل الهوائي L23 موصل تحريضياً مع الملف L24 وكذلك الملفات L29,127 اللذان يشكلان مرحلة ربط بين مكبر RF والمازج فهما موصلان بشكل تحريضي وسعوي ، وهذه الملفات مولفة بواسطة الثنائي السعوي CR14 وCR15 على التتابع - أما الملفات 24 - 27 - 29- فهي موضوعة على دارة نحاسية مطبوعة ـ وأما التوليف فيضبط بتحريك قطعة تحمل المكثفات C96- C68- C67 المتناسبة مع الملفات التحريضية .

    مخرج أما إشارة RFo إلى المازج فإنها تحصل من نقطة على الملف 129 128 وجميع الملفات المستخدمة للتوليف مصنوعة من دارة مطبوعة نحاسية على لوحة الدارة .


    اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	CamScanner 04-16-2023 12.18_1.jpg 
مشاهدات:	15 
الحجم:	114.6 كيلوبايت 
الهوية:	101226 اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	CamScanner 04-16-2023 12.19_1.jpg 
مشاهدات:	10 
الحجم:	52.4 كيلوبايت 
الهوية:	101227 اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	CamScanner 04-16-2023 12.19 (1)_1.jpg 
مشاهدات:	11 
الحجم:	41.9 كيلوبايت 
الهوية:	101228 اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	CamScanner 04-16-2023 12.20_1.jpg 
مشاهدات:	13 
الحجم:	75.0 كيلوبايت 
الهوية:	101229 اضغط على الصورة لعرض أكبر. 

الإسم:	CamScanner 04-16-2023 12.20 (1)_1.jpg 
مشاهدات:	10 
الحجم:	106.7 كيلوبايت 
الهوية:	101230

  • #2
    5-5 Using the Field Effect Transistor (FET) in RF Amplifiers:

    It is used in modern circuits, especially in RF amplifiers - and this transistor has two types, JFET, i.e. with a link.

    ​​​​​ IGFET, i.e., with an isolated gate, and is called MOSFET, Figure (5-15). The JFET transistor has two types, according to the semiconductor materials used in the connection between the elements. They are the positive or negative channel N-Channel.P-Channel and the use of the FET transistor which is a unipolar element and not bipolar Bipolar as is the normal transistor, because the passage of current through it is through the flow of electrons or gaps. As for the FET or Mosfet transistor, it is done by one method, and this reduces noise and distortion when used as an amplifier at high frequencies, and the input impedance is very large, so it is similar to the valve, and thus the input signal current (gate) is very small. It also has another advantage as the current passing through it is directly proportional to the square of the gate voltage - this is what makes the output of the amplifier rich in second harmonics, while the normal transistor or valve is rich in third and higher harmonics in addition to the second harmonic. Because its linear magnification is most likely. This is what weakens the output signal, especially when modulating, and therefore it is preferred in the mood circuit.

    5-6 Using the Mosfet to amplify the VHF field:

    The diagram shows Figure (5) - (17) the simplified circuit for using a dual-gate Mosfet with two gates in the VHF amplification circuit, the very high frequencies of the voter, in which the AGC voltage is obtained through the voltage divider R2, R1 and R2, and the capacitors filter the AGC voltage to make the direct current DC Most of it applies to the second gate of the transistor (G2). As for the RF signal, it is applied through the capacitor and C and elicited via R3 - and the signal voltage appears on the first gate (G). Thus, the current of the Fet transistor is set by two voltages, namely the AGC voltage and the signal voltage - as for the upstream bias, it is secured by means of R, and C is used to prevent feedback - and is taken The output signal from the secondary of the transformer T in the bank circuit.

    MOSFET use in UHF field amplification:

    The diagram shows Figure (4) - (34) the simplified circuit for using a dual-gate MOSFET transistor to amplify the UHF field - AGC voltage is applied to the second gate G2, after winding the coil L24 and the capacitive binary (fractor) CR13. The UHF signal coming from the antenna is applied to the first gate G1 through the capacitor C43, and the antenna input coil L23 is inductively connected with the L24 coil, as well as the L29,127 coils, which form a link stage between the RF amplifier and the mixer, as they are connected in an inductive and capacitive manner, and these coils are tuned by the capacitive diode CR14 and CR15 in sequence - as for files 24 - 27 - 29 - they are placed on a printed copper circuit - and as for tuning, it is controlled by moving a piece that carries capacitors C96- C68- C67 that are proportional to the induction files.

    تعليق

    يعمل...
    X